今天來(lái)探討LED外延片的成長(zhǎng)工藝，早期在小積體電路時(shí)代，每一個(gè)6吋的外延片上制作數(shù)以千計(jì)的芯片，現(xiàn)在次微米線(xiàn)寬的大型VLSI，每一個(gè)8吋的外延片上也只能完成一兩百個(gè)大型芯片。外延片的制造雖動(dòng)輒投資數(shù)百億，但卻是所有電子工業(yè)的基礎(chǔ)。
硅晶柱的長(zhǎng)成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來(lái)的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱，以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹：
長(zhǎng)晶主要程式：
1、融化(MELtDown)
此過(guò)程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制高于攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中最重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來(lái)融化復(fù)晶硅，石英坩鍋的壽命會(huì)降低，反之功率太低則融化的過(guò)程費(fèi)時(shí)太久，影響整體的產(chǎn)能。
2、頸部成長(zhǎng)(Neck Growth)
當(dāng)硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將方向的晶種漸漸注入液中，接著將晶種往上拉升，并使直徑縮小到一定(約6mm)，維持此直徑并拉長(zhǎng)10-20cm，以消除晶種內(nèi)的排差(dislocation)，此種零排差(dislocation-free)的控制主要為將排差局限在頸部的成長(zhǎng)。
3、晶冠成長(zhǎng)(Crown Growth)
長(zhǎng)完頸部后，慢慢地降低拉速與溫度，使頸部的直徑逐漸增加到所需的大小。
4、晶體成長(zhǎng)(Body Growth)
利用拉速與溫度變化的調(diào)整來(lái)遲維持固定的晶棒直徑，所以坩鍋必須不斷的上升來(lái)維持固定的液面高度，于是由坩鍋傳到晶棒及液面的輻射熱會(huì)逐漸增加，此輻射熱源將致使固業(yè)介面的溫度梯度逐漸變小，所以在晶棒成長(zhǎng)階段的拉速必須逐漸地降低，以避免晶棒扭曲的現(xiàn)象產(chǎn)生。
5、尾部成長(zhǎng)(Tail Growth)
當(dāng)晶體成長(zhǎng)到固定(需要)的長(zhǎng)度后，晶棒的直徑必須逐漸地縮小，直到與液面分開(kāi)，此乃避免因熱應(yīng)力造成排差與滑移面現(xiàn)象。
切割：
晶棒長(zhǎng)成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。芯片， 圓片，是半導(dǎo)體元件"芯片"或"芯片"的基材，從拉伸長(zhǎng)出的高純度硅元素晶柱 (Crystal Ingot)上，所切下之圓形薄片稱(chēng)為外延片(外延片)。
磊晶：
砷化鎵磊晶依制程的不同，可分為L(zhǎng)PE(液相磊晶)、MOCVD(有機(jī)金屬氣相磊晶)及MBE(分子束磊晶)。LPE的技術(shù)較低，主要用于一般的發(fā)光二極體，而MBE的技術(shù)層次較高，容易成長(zhǎng)極薄的磊晶，且純度高，平整性好，但量產(chǎn)能力低，磊晶成長(zhǎng)速度慢。MOCVD除了純度高，平整性好外，量產(chǎn)能力及磊晶成長(zhǎng)速度亦較MBE為快，所以現(xiàn)在大都以MOCVD來(lái)生產(chǎn)。
其過(guò)程首先是將GaAs襯底放入昂貴的有機(jī)化學(xué)汽相沉積爐（簡(jiǎn)MOCVD，又稱(chēng)外延爐），再通入III、II族金屬元素的烷基化合物（甲基或乙基化物）蒸氣與非金屬(V或VI族元素）的氫化物（或烷基物）氣體，在高溫下，發(fā)生熱解反應(yīng)，生成III-V或II-VI族化合物沉積在襯底上，生長(zhǎng)出一層厚度僅幾微米（1毫米＝1000微米）的化合物半導(dǎo)體外延層。長(zhǎng)有外延層的GaAs片也就是常稱(chēng)的外延片。外延片經(jīng)芯片加工后，通電就能發(fā)出顏色很純的單色光，如紅色、黃色等。不同的材料、不同的生長(zhǎng)條件以及不同的外延層結(jié)構(gòu)都可以改變發(fā)光的顏色和亮度。其實(shí)，在幾微米厚的外延層中，真正發(fā)光的也僅是其中的幾百納米（1微米＝1000納米）厚的量子阱結(jié)構(gòu)。
反應(yīng)式： Ga(CH3)3 +PH3= GaP+3CH4 |
